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惠(Hui)伦(Lun)晶(Jing)体(Ti)|晶(Jing)体(Ti)晶(Jing)振(Zhen)在(Zai)SSD上(Shang)的(De)应(Ying)用(Yong)
SSD（(?)Solid State Disk）(?)俗(Su)称(Cheng)固(Gu)态(Tai)硬(Ying)盘(Pan)，(?)是(Shi)一(Yi)种(Zhong)用(Yong)于(Yu)存(Cun)储(Chu)数(Shu)据(Ju)的(De)非(Fei)易(Yi)失(Shi)性(Xing)存(Cun)储(Chu)设(She)备(Bei)，(?)与(Yu)传(Chuan)统(Tong)的(De)机(Ji)械(Xie)硬(Ying)盘(Pan)（(?)HDD）(?)相(Xiang)比(Bi)，(?)具(Ju)有(You)更(Geng)高(Gao)的(De)速(Su)度(Du)、(?)更(Geng)低(Di)的(De)能(Neng)耗(Hao)和(He)更(Geng)好(Hao)的(De)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)。(?)
随(Sui)着(Zhuo)云(Yun)平(Ping)台(Tai)数(Shu)量(Liang)的(De)不(Bu)断(Duan)增(Zeng)加(Jia)，(?)对(Dui)SSD的(De)需(Xu)求(Qiu)一(Yi)直(Zhi)在(Zai)迅(Xun)速(Su)增(Zeng)加(Jia)，(?)从(Cong)传(Chuan)统(Tong)的(De)企(Qi)业(Ye)私(Si)有(You)云(Yun)和(He)新(Xin)的(De)公(Gong)共(Gong)云(Yun)到(Dao)个(Ge)人(Ren)云(Yun)的(De)使(Shi)用(Yong)，(?)SSD的(De)市(Shi)场(Chang)需(Xu)求(Qiu)迅(Xun)速(Su)增(Zeng)长(Chang)。(?)
此(Ci)外(Wai)，(?)数(Shu)字(Zi)化(Hua)程(Cheng)度(Du)的(De)提(Ti)高(Gao)和(He)生(Sheng)活(Huo)方(Fang)式(Shi)的(De)转(Zhuan)变(Bian)是(Shi)消(Xiao)费(Fei)电(Dian)子(Zi)产(Chan)品(Pin)消(Xiao)费(Fei)增(Zeng)长(Chang)的(De)主(Zhu)要(Yao)因(Yin)素(Su)。(?)
不(Bu)单(Dan)如(Ru)此(Ci)，(?)COVID-19 大(Da)流(Liu)行(Xing)还(Huan)迫(Po)使(Shi)消(Xiao)费(Fei)者(Zhe)出(Chu)于(Yu)各(Ge)种(Zhong)原(Yuan)因(Yin)走(Zou)向(Xiang)数(Shu)字(Zi)化(Hua)，(?)包(Bao)括(Kuo)家(Jia)庭(Ting)教(Jiao)育(Yu)和(He)远(Yuan)程(Cheng)就(Jiu)业(Ye)，(?)并(Bing)加(Jia)速(Su)了(Liao)各(Ge)个(Ge)行(Xing)业(Ye)的(De)数(Shu)字(Zi)化(Hua)。(?)
因(Yin)此(Ci)，(?)SSD在(Zai)消(Xiao)费(Fei)技(Ji)术(Shu)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)中(Zhong)的(De)使(Shi)用(Yong)正(Zheng)在(Zai)迅(Xun)速(Su)上(Shang)升(Sheng)。(?)随(Sui)着(Zhuo)物(Wu)联(Lian)网(Wang)、(?)VR/AR、(?)5G、(?)在(Zai)线(Xian)技(Ji)术(Shu)和(He)机(Ji)器(Qi)学(Xue)习(Xi)等(Deng)技(Ji)术(Shu)的(De)发(Fa)展(Zhan)变(Bian)得(De)越(Yue)来(Lai)越(Yue)普(Pu)遍(Bian)，(?)预(Yu)计(Ji)这(Zhe)种(Zhong)需(Xu)求(Qiu)将(Jiang)继(Ji)续(Xu)下(Xia)去(Qu)。(?)
根(Gen)据(Ju)市(Shi)场(Chang)研(Yan)究(Jiu)数(Shu)据(Ju)，(?)SSD市(Shi)场(Chang)在(Zai)过(Guo)去(Qu)几(Ji)年(Nian)呈(Cheng)现(Xian)了(Liao)强(Qiang)劲(Jin)的(De)增(Zeng)长(Chang)态(Tai)势(Shi)。(?)从(Cong)2019年(Nian)，(?)全(Quan)球(Qiu)SSD市(Shi)场(Chang)规(Gui)模(Mo)400亿(Yi)美(Mei)元(Yuan)。(?)2019 年(Nian)，(?)全(Quan)球(Qiu) SSD 市(Shi)场(Chang)规(Gui)模(Mo) 400 亿(Yi)美(Mei)元(Yuan)，(?)预(Yu)计(Ji)到(Dao) 2025 年(Nian)，(?)该(Gai)市(Shi)场(Chang)规(Gui)模(Mo)将(Jiang)超(Chao)过(Guo) 900 亿(Yi)美(Mei)元(Yuan)，(?)复(Fu)合(He)年(Nian)增(Zeng)长(Chang)率(Lu)超(Chao)过(Guo) 10%。(?)
简(Jian)单(Dan)地(Di)说(Shuo)，(?)固(Gu)态(Tai)硬(Ying)盘(Pan)由(You)主(Zhu)控(Kong)芯(Xin)片(Pian)、(?)闪(Shan)存(Cun)、(?)缓(Huan)存(Cun)颗(Ke)粒(Li)、(?)PCB板(Ban)和(He)外(Wai)壳(Ke)这(Zhe)五(Wu)个(Ge)部(Bu)分(Fen)组(Zu)成(Cheng)。(?)
在(Zai)SSD MCU 和(He)PMIC上(Shang)，(?)时(Shi)钟(Zhong)晶(Jing)体(Ti)器(Qi)件(Jian)始(Shi)终(Zhong)作(Zuo)为(Wei)一(Yi)个(Ge)重(Zhong)要(Yao)的(De)电(Dian)子(Zi)元(Yuan)器(Qi)件(Jian)在(Zai)使(Shi)用(Yong)选(Xuan)择(Ze)时(Shi)被(Bei)谨(Jin)慎(Shen)考(Kao)虑(Lu)。(?)随(Sui)着(Zhuo)平(Ping)台(Tai)的(De)升(Sheng)级(Ji)，(?)传(Chuan)输(Shu)速(Su)率(Lu)的(De)提(Ti)高(Gao)以(Yi)及(Ji)抗(Kang)干(Gan)扰(Rao)能(Neng)力(Li)的(De)要(Yao)求(Qiu)，(?)时(Shi)钟(Zhong)晶(Jing)体(Ti)也(Ye)从(Cong)传(Chuan)统(Tong)的(De)无(Wu)源(Yuan)25Mhz，(?)30Mhz，(?)40Mhz，(?)50Mhz 向(Xiang)有(You)源(Yuan)LVDS 25Mhz，(?)50Mhz，(?)74.25Mhz以(Yi)及(Ji)100Mhz发(Fa)展(Zhan)。(?)
在(Zai)实(Shi)际(Ji)使(Shi)用(Yong)过(Guo)程(Cheng)中(Zhong)，(?)由(You)于(Yu)晶(Jing)体(Ti)晶(Jing)振(Zhen)能(Neng)产(Chan)生(Sheng)稳(Wen)定(Ding)的(De)时(Shi)钟(Zhong)信(Xin)号(Hao)，(?)为(Wei)SSD 数(Shu)据(Ju)读(Du)写(Xie)提(Ti)供(Gong)准(Zhun)确(Que)的(De)时(Shi)序(Xu)，(?)精(Jing)准(Zhun)可(Ke)靠(Kao)的(De)晶(Jing)体(Ti)晶(Jing)振(Zhen)能(Neng)够(Gou)确(Que)保(Bao)数(Shu)据(Ju)的(De)完(Wan)整(Zheng)性(Xing)和(He)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)。(?)另(Ling)外(Wai)，(?)晶(Jing)振(Zhen)在(Zai)SSD的(De)电(Dian)源(Yuan)管(Guan)理(Li)（(?)PMIC）(?)方(Fang)面(Mian)也(Ye)发(Fa)挥(Hui)着(Zhuo)重(Zhong)要(Yao)作(Zuo)用(Yong)，(?)通(Tong)过(Guo)调(Diao)节(Jie)自(Zi)身(Shen)的(De)频(Pin)率(Lu)幅(Fu)度(Du)，(?)使(Shi)得(De)SSD在(Zai)较(Jiao)低(Di)功(Gong)耗(Hao)下(Xia)运(Yun)行(Xing)，(?)降(Jiang)低(Di)整(Zheng)个(Ge)产(Chan)品(Pin)的(De)功(Gong)耗(Hao)。(?)同(Tong)时(Shi)，(?)晶(Jing)体(Ti)晶(Jing)振(Zhen)也(Ye)可(Ke)以(Yi)检(Jian)测(Ce)电(Dian)源(Yuan)状(Zhuang)态(Tai)，(?)确(Que)保(Bao)SSD在(Zai)各(Ge)种(Zhong)电(Dian)源(Yuan)环(Huan)境(Jing)下(Xia)都(Du)能(Neng)够(Gou)正(Zheng)常(Chang)工(Gong)作(Zuo)。(?)
惠(Hui)伦(Lun)晶(Jing)体(Ti)作(Zuo)为(Wei)业(Ye)界(Jie)领(Ling)先(Xian)的(De)时(Shi)钟(Zhong)晶(Jing)体(Ti)制(Zhi)造(Zao)商(Shang)，(?)是(Shi)拥(Yong)有(You)从(Cong)晶(Jing)片(Pian)切(Qie)割(Ge)设(She)计(Ji)到(Dao)终(Zhong)端(Duan)产(Chan)品(Pin)生(Sheng)产(Chan)的(De)全(Quan)栈(Zhan)式(Shi)公(Gong)司(Si)。(?)
作(Zuo)为(Wei)一(Yi)家(Jia)以(Yi)客(Ke)户(Hu)为(Wei)中(Zhong)心(Xin)的(De)企(Qi)业(Ye),惠(Hui)伦(Lun)晶(Jing)体(Ti)将(Jiang)继(Ji)续(Xu)秉(Bing)持(Chi)创(Chuang)新(Xin)、(?)质(Zhi)量(Liang)和(He)服(Fu)务(Wu)至(Zhi)上(Shang)的(De)理(Li)念(Nian)，(?)为(Wei)客(Ke)户(Hu)提(Ti)供(Gong)更(Geng)多(Duo)优(You)质(Zhi)的(De)时(Shi)钟(Zhong)晶(Jing)体(Ti)产(Chan)品(Pin)和(He)一(Yi)站(Zhan)式(Shi)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)。(?)
目(Mu)前(Qian)，(?)为(Wei)顺(Shun)应(Ying)高(Gao)频(Pin)化(Hua)、(?)小(Xiao)型(Xing)化(Hua)、(?)高(Gao)精(Jing)度(Du)、(?)高(Gao)稳(Wen)定(Ding)性(Xing)产(Chan)品(Pin)应(Ying)用(Yong)趋(Qu)势(Shi)，(?)惠(Hui)伦(Lun)晶(Jing)体(Ti)拥(Yong)有(You)丰(Feng)富(Fu)的(De)产(Chan)品(Pin)线(Xian)，(?)可(Ke)以(Yi)为(Wei)客(Ke)户(Hu)提(Ti)供(Gong)及(Ji)定(Ding)制(Zhi)所(Suo)需(Xu)的(De)时(Shi)钟(Zhong)晶(Jing)体(Ti)产(Chan)品(Pin)应(Ying)用(Yong)在(Zai)各(Ge)类(Lei)SSD 产(Chan)品(Pin)及(Ji)整(Zheng)体(Ti)方(Fang)案(An)上(Shang)：(?)
无(Wu)源(Yuan)：(?)2016~3225size / 16Mhz~50Mhz / +_10ppm @25degC/ +_15ppm vs. -40~85degC/ 8pf
CMOS: 2016~3225size/ 1.5Mhz~125Mhz/+_30ppm @overall /1.8v~3.3v/ -40~85degC
Diff.: 3225~5032size/ 25Mhz ~175Mhz /+_50ppm @ overall /2.5v-5.0v / -40~85degC
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